CERIA CMP PROCESS

반도체 CMP 공정에 사용되는 Ceria는
수nm ~ 수백nm 크기의 입자를 이용하여
연마 대상 막질을 화학적 기계적으로 연마하는 역할을 합니다.

 한국 나노오트 Ceria

Particle size : 5nm~60nm 조절 가능

Application : 반도체 CMP 공정용

특징

   ① Particle size에 따라 연마량 조절 가능
   ② Advanced Device 공정용으로 형상이 균일하고 입도 분포 편차가 적음
   ③ Silicon Nitride 및 Poly-Si 막질에 대한 선택비 제어
   ④ Defect(Scratch, Dishing)최소화

 KC05 :

 5nm Ceria

설명: 플라즈마 수중방전 합성 차세대 CMP slurry 

    화학적, 물리적 연마에 필요한 STI공정용 소재

 특징: 차세대 반도체 핵심소재로 국내 최초의 

    원천기술인 플라즈마 수중방전 합성으로 개발 

    하였으며, 입자 Size는 5±2nm로 균일함.

 용도: CMP공정 연마용 슬러리 소재

#반도체 #세리아 #CMP
#우수한 평탄도 #고속연마성 #고품질

 KC30 :

 30nm Ceria

설명: 플라즈마 수중방전 합성 차세대 CMP slurry 

    화학적, 물리적 연마에 필요한 STI공정용 소재

 특징: 차세대 반도체 핵심소재로 국내 최초의 

    원천기술인 플라즈마 수중방전 합성으로 개발 

    하였으며, 입자 Size는 30±2nm로 균일함.

 용도: CMP공정 연마용 슬러리 소재

#반도체 #세리아 #CMP
#우수한 평탄도 #고속연마성 #고품질