Particle size : 5nm~60nm 크기 조절 가능
Application : 반도체 CMP 공정용
특징 :
① Particle size에 따라 연마량 조절 가능
② Advanced Device 공정용으로 형상이 균일하고 입도 분포
편차가 적음
③ Silicon Nitride 및 Poly-Si 막질에 대한 선택비 높음
④ Defect(Scratch, Dishing)최소화
Particle size : 5nm~40nm
Application : 반도체 CMP 공정용
특징
① Particle size에 따라 연마량 조절 가능
② Advanced Device 공정용으로 형상이 균일하고 입도 분포 편차가 적음
③ Silicon Nitride 및 Poly-Si 막질에 대한 선택비 높음
④ Defect(Scratch, Dishing)최소화
국내 반도체 공정에서 현재 Calcinated ceria를 사용한
연마를 진행하며, 사용되는 입자는 Solvay chemical
독점 공급 체제임
반도체 구조의 복잡화 및 고층화 됨에 따라 Scratch 및
Defect의 중요성이 커짐에 따라 Calcination 소재에서
Colloidal 소재로 변화
한국 나노오트는 수중플라즈마 장치를 사용한 합성으로
Ceria 소재의 국산화 및 차세대 소재인 Colloidal Ceria 합성
국내 반도체 공정에서 현재 Calcinated ceria를 사용한 연마를 진행하며, 사용되는 입자는
Solvay chemical 독점 공급 체제임
반도체 구조의 복잡화 및 고층화로 Scratch 및 Defect의 중요성이 커짐에 따라 시장에서 Calcination
소재에서 Colloidal 소재로 변화 요구
한국 나노오트의 원천기술인 수중 플라즈마 합성법으로 Ceria 소재의 국산화 및 차세대 소재 개발
반도체 시장은 고밀도화, 고층화, 다층화 및 Pitch
미세화에 따라, Scratch, Defect 방지 및 미세 Pitch 대응이 요구됨. 이를 위한 5nm급의 Ceria를 개발
한국 나노오트는 수중플라즈마 장치를 사용한 합성
으로 차세대 Ceria 소재인 수nm크기의 Colloidal
Ceria 입자 합성
수중 플라즈마 합성으로 양산된 5nm Ceria는 wafer
의 Scratch, Dishing 등을 방지 할 수 있으며,
CMP 공정 말단 Re-touch step에 탁월
반도체 시장은 고밀도화, 고층화, 다층화 및 Pitch 미세화에 따라, Scratch, Defect 방지 및 미세 Pitch
대응이 요구됨. 이를 위한 5nm급의 Ceria를 개발
한국 나노오트는 수중플라즈마 장치를 사용한 합성으로 차세대 Ceria 소재인 수nm크기의
Colloidal Ceria 입자 합성
수중 플라즈마 합성으로 양산된 5nm Ceria는 wafer의 Scratch, Dishing 등을 방지 할 수 있으며,
CMP 공정 말단 Re-touch step에 탁월
